Ort:  Erlangen
Datum:  23.05.2024

Masterarbeit »Quantitative Untersuchung der Versetzungsdichte in HVPE-GaN«

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) betreibt in Deutschland derzeit 76 Institute und Forschungseinrichtungen und ist die weltweit führende Organisation für anwendungsorientierte Forschung. Rund 30 800 Mitarbeitende erarbeiten das jährliche Forschungsvolumen von 3,0 Milliarden Euro.  

Am Standort Erlangen gestalten die über 400 Mitarbeitenden des Fraunhofer-Instituts für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB anwendungsbezogene Forschung und Entwicklung zu innovativen Themen der Halbleitertechnologie und Leistungselektronik.

 

Die Arbeitsgruppe »Nitride« beschäftigt sich mit der Kristallzüchtung von Halbleitern mit großer Bandlücke, mit Epitaxie und Charakterisierungsmethoden für nitridbasierte Leistungselektronik in enger Zusammenarbeit mit Substrat-, Geräte- und Bauelementherstellern. Unsere Ziele sind die Verbesserung der Züchtungsprozesse und der Kristallqualität, die Entwicklung von Wafering- und Polierprozessen und die Untersuchung der Auswirkungen von Kristalldefekten. Wir versuchen die Enden der Wertschöpfungskette zu schließen, indem wir die Auswirkungen von Defekten auf die Bauelementeigenschaften von Leistungstransistoren untersuchen, um deren Zuverlässigkeit zu verbessern.

 

Du möchtest Deine Fachkenntnisse in nutzbringende und sinnvolle Forschung umsetzen und Deine Masterarbeit bei einem führenden Forschungsunternehmen absolvieren? Dann haben wir hier ein interessantes Angebot für Dich!

 

Wir bieten Dir die Möglichkeit einer Masterarbeit mit dem Thema »Quantitative Untersuchung der Versetzungsdichte in HVPE-GaN mittels Röntgentopographie und defektselektivem Ätzen«.

 

Das Halbleitermaterial Galliumnitrid (GaN) spielt auf Grund seiner großen Bandlücke eine zunehmend wichtige Rolle als Basismaterial für leistungselektronische Bauelemente wie zum Beispiel Transistoren. Entscheidend für die Abscheidung dazu notwendiger, funktionaler Bauelementschichten ist ein qualitativ möglichst gutes GaN-Substrat, das heißt das Vorhandensein einer möglichst geringen Dichte an Kristalldefekten, wie beispielsweise Versetzungen. Im Rahmen dieser Masterarbeit wird das Verfahren der Röntgentopographie (XRT) auf seine Anwendbarkeit zur Charakterisierung der Versetzungsdichte von HVPE-GaN untersucht. Dazu wird zunächst eine systematische Variation von Messparametern durchgeführt und deren Auswirkungen auf die Sichtbarkeit von Versetzungsstrukturen in den mittels XRT aufgenommenen Bildern evaluiert. Auf Basis dieser Ergebnisse werden Ätzexperimente durchgeführt, welche eine lokale Bestimmung der expliziten Versetzungsdichte erlauben. Im direkten Vergleich beider Methoden wird geprüft, ob sich eine Kalibrierkurve erstellen lässt, welche es erlaubt, die Versetzungsdichte allein mittels XRT zu bestimmen.

 

Was Du bei uns tust

  • Durchführung von röntgentopographischen (XRT) Messungen und nasschemischen Ätzversuchen an GaN-Proben
  • Untersuchung des Zusammenhangs von Messparametern mit der Sichtbarkeit von Versetzungsstrukturen in XRT-Topogrammen
  • Vergleich der gemessenen XRT-Topogramme mit den Ergebnissen der Ätzversuche und Evaluierung der Möglichkeit der Erstellung einer Kalibrierkurve
  • Umfassende und detaillierte Auswertung mittels programmatischen Ansatzes sowie regelmäßige Präsentation im Team

 

Was Du mitbringst

  • Studium der Physik, Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Geowissenschaften oder eines vergleichbaren MINT-Faches
  • Spaß an experimenteller Laborarbeit sowie Datenauswertung/-analyse
  • Grundkenntnisse in Python oder Mathematica und Bereitschaft, sich tiefergehend einzuarbeiten
  • Idealerweise Grundkenntnisse in Röntgenbeugung
  • Selbstständige und sehr sorgfältige Arbeitsweise

 

Was Du erwarten kannst

  • Wir bieten einen großen Einblick in spannende Forschungsprojekte 
  • Vielseitige Aufgaben in der angewandten Forschung
  • Aktive Mitarbeit bei Forschungsprojekten
  • Gute Betreuung durch die wissenschaftlichen Mitarbeiter*innen
  • Offenes und kollegiales Arbeitsumfeld
     

 

 

Die Stelle ist auf die Dauer der Bearbeitungszeit befristet. Es wird keine Vergütung gezahlt.

 

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. 

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. 

 

Haben wir Dein Interesse geweckt? Dann bewirb Dich jetzt online mit Deinen aussagekräftigen Bewerbungsunterlagen. Wir freuen uns darauf, Dich kennenzulernen! 

 

Fachliche Fragen zu dieser Stelle beantwortet Dir gerne:
Dr. Sven Besendörfer 
Telefon +49 9131 761-182
sven.besendoerfer@iisb.fraunhofer.de

 

Fragen zum Bewerbungsprozess beantwortet Dir gerne:
Nadja Ingarsia
Telefon +49 9131 761-251
nadja.ingarsia@iisb.fraunhofer.de
 

Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB 

www.iisb.fraunhofer.de 


Kennziffer: 69782                

 


Stellensegment: Materials Science, Nanotechnology, Quantitative Analyst, Science, Data