Ort:  Ettlingen
Datum:  21.11.2025

Wissenschaftler*in im Bereich Kristallzüchtung von III/V Halbleitern

Die Fraunhofer-Gesellschaft (www.fraunhofer.de) ist eine der weltweit führenden Organisationen für anwendungsorientierte Forschung. 75 Institute entwickeln wegweisende Technologien für unsere Wirtschaft und Gesellschaft – genauer: 32 000 Menschen aus Technik, Wissenschaft, Verwaltung und IT. Sie wissen: Wer zu Fraunhofer kommt, will und kann etwas verändern. Für sich, für uns und die Märkte von heute und morgen.

Technologien für morgen gestalten: Das ist unsere Mission am Fraunhofer-Institut für Optronik, Systemtechnik und Bildauswertung IOSB. Wir betreiben grundlegende und anwendungsnahe Forschung in den Themenfeldern Lasertechnologie, Photonik, bildgebende Sensorsysteme und vieles mehr. Unsere Expertise reicht von den physikalischen Grundlagen der Optik und Photonik bis zur Datenauswertung mittels KI für verschiedenste Anwendungsdomänen. Wo Forschung auf Praxis trifft, beginnt Veränderung – und genau hier gestalten wir gemeinsam die Zukunft.

 

Die Stelle ist in unserer Gruppe Lasertechnologie angesiedelt, die sich mit Forschung und Entwicklung spezifischer photonischer Materialien und Komponenten, speziellen Laserquellen und nichtlinearen Konvertern sowie der Optimierung von Lasersystemen im NIR, SWIR, MWIR und LWIR Bereich für unterschiedliche Anwendungsfelder befasst. 

 

Sie interessieren sich für die Züchtung dicker Kristallschichten auf Wafern mittels verschiedener Methoden der Gasphasenepitaxie und möchten die Forschung und Entwicklung in diesem Bereich vorantreiben? Sie möchten an Projekten mitwirken, die die Sicherheit unseres Landes unterstützen? Dann bewerben Sie sich bei uns und ergreifen Sie die Chance, im dynamischen Forschungsumfeld eines renommierten Instituts mitzuarbeiten!

 

Hier sorgen Sie für Veränderung

  • Sie entwickeln, untersuchen und optimieren Züchtungsverfahren zur Kristallzüchtung von dicken III/V Halbleiterschichten (GaAs, GaP) unter Erhalt spezifisch orientierter Domänenstrukturen mittels Gasphasenepitaxie für laseroptische Anwendungen. 
  • Sie erforschen das Kristallwachstum mittels speziell angepassten Untersuchungsmethoden für die Analytik von Kristallen u.a. im Bereich der Spektroskopie und Röntgendiffraktometrie.
  • Sie optimieren Verfahren zur Kristallbearbeitung mit dem Ziel, leistungsfähigere Bauteile mit optischen Oberflächen für die Entwicklung neuartiger Laserquellen möglich zu machen. 
  • Das Verfassen von Dokumentationen, Berichten und Publikationen in englischer und deutscher Sprache gehört ebenfalls zu Ihrem Arbeitsalltag

 

Hiermit bringen Sie sich ein

  • Ein abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Diplom/Master/Promotion) der Physik, Chemie, Elektrotechnik, Kristallographie, oder vergleichbarer Fachrichtungen 
  • Langjährige Erfahrung in III/V Epitaxie, insbesondere in der MOCVD oder HVPE Technik, sowie in der Bearbeitung und Handling (Ätzen, Cleaven, Polieren) von III/V-Wafern.
  • Fortgeschrittene Kenntnisse in Halbleiter-Prozesstechnik sowie zugehörigen Analytik-Methoden (Röntgenbeugung, Spektroskopie, SIMS).
  • Grundkenntnisse im Bereich der Laserphysik oder nichtlinearer Optik sind von Vorteil.
  • Sie begeistern sich für die wissenschaftliche Arbeit möchten jedoch Ihre Forschungsergebnisse auch in den praktischen Einsatz überführen
  • Sehr gutes Deutsch (B2/C1 Niveau) und sehr gutes Englisch (mindestens B2 Niveau) in Wort und Schrift runden Ihr Profil ab

 

Was wir für Sie bereithalten

  • Eine abwechslungsreiche, spannende Tätigkeit an der Schnittstelle zwischen Wissenschaft und Wirtschaft, zwischen Gegenwart und Zukunft
  • Großen Freiraum zur Entfaltung und zum selbstbestimmten Vorantreiben von Themen und Projekten in einer expandierenden Abteilung
  • Eine weltweit einzigartige Laborausstattung mit modernen, teilweise nicht kommerziell verfügbaren Komponenten und Messeinrichtungen
  • Motivierte Kolleg*innen, die sich durch ihre interdisziplinäre und internationale Zusammensetzung gegenseitig inspirieren
  • Individuelle Karrierepfade durch umfangreiche Fortbildungs- und Entwicklungsmöglichkeiten (z.B. Förder- und Entwicklungsprogramm »Fraunhofer TALENTA« für Wissenschaftlerinnen und weibliche Führungskräfte)
  • Optimale Bedingungen zur Vereinbarkeit von Beruf und Privatleben (flexible Arbeitszeiten, mobiles Arbeiten im Rahmen der Erfordernisse der Stelle, Kita-Platz-Kontingent in Karlsruhe etc.) 
  • Eine Kantine sowie nahegelegene Einkaufsmöglichkeiten
  • Eine sehr gute Anbindung an den ÖPNV sowie ein Zuschuss zum Deutschlandticket

 

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Das Gleiche gilt, wenn sie aufgrund einer Behinderung nicht alle Profilanforderungen erfüllen.

Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Vergütung richtet sich nach der Gesamtbetriebsvereinbarung zur Beschäftigung der Hilfskräfte.

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklungen und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft. 

Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht. 
 

Fragen zu dieser Position beantworten Ihnen gerne:

Prof. Dr. rer. nat. habil. Marc Eichhorn
Direktor und Bereichsleiter Verteidigung
Telefon: +49 7243 992-131

 

Dr. Christelle Kieleck
Abteilungsleiterin LASERTECHNOLOGIE
Telefon: +49 7243 992-310

Fraunhofer-Institut für Optronik, Systemtechnik und Bildauswertung IOSB 

www.iosb.fraunhofer.de 


Kennziffer: 81729                Bewerbungsfrist: 

 


Stellensegment: Developer, Web Design, Technology, Creative